انٹیل تفصیلات 3 ڈی ایکس پوائنٹ میموری ، مستقبل کی مصنوعات

اس سال کے انٹیل ڈویلپر فورم میں ، کمپنی نے اپنی آنے والی 3 ڈی ایکسپوائنٹ میموری کے بارے میں اضافی تکنیکی تفصیلات کا انکشاف کیا ، جس میں روایتی مین میموری اور اسٹوریج کے مابین خلا کو پُر کرکے پی سی فن تعمیر کو واقعتا تبدیل کرنے کی صلاحیت ہے۔

انٹیل اور مائکرون ، جس نے مل کر نئی میموری پیدا کی اور اسے لیہا ، یوٹاہ میں مشترکہ منصوبے کی سہولت پر تیار کرنے کا ارادہ کیا ہے ، نے کہا ہے کہ تھری ڈی ایکسپوائنٹ ناند فلیش سے ایک ہزار گنا تیز اور DRAM کی کثافت سے 10 گنا زیادہ ہے۔ اسی طرح ، یہ آج کی نند فلیش میموری کا ایک تیز تر متبادل ہوسکتا ہے ، جس میں بہت زیادہ گنجائش ہے اور یہ نسبتاex سستی ہے ، یا روایتی ڈی آر اے ایم کے متبادل یا ملحق کے طور پر کام کرتی ہے ، جو تیز ہے لیکن اس کی محدود صلاحیت ہے۔ IDF میں ، ہمیں اس بارے میں مزید تفصیلات حاصل ہوگئیں کہ یہ ان دونوں حلوں میں سے کسی میں بھی کس طرح کام آسکتا ہے۔

کلیدی نوٹ کے دوران ، انٹیل کے نان-وولاٹائل میموری سولیوشن گروپ کے سینئر نائب صدر اور جنرل منیجر ، روب کروک نے اعلان کیا کہ انٹیل آپٹین برانڈ نام کے تحت 2016 میں نئی ​​میموری پر مبنی ڈیٹا سینٹر اور نوٹ بک ایس ایس ڈی کے ساتھ ساتھ ڈی آئی ایم ایم فروخت کرنے کا ارادہ رکھتا ہے۔ اس نے ایک اوپٹین ایس ایس ڈی کا مظاہرہ کیا جس میں انٹیل کے موجودہ تیز ترین ایس ایس ڈی کی کارکردگی کو مختلف کاموں میں پانچ سے سات گنا مہیا کیا گیا ہے۔

بعد میں ، اس نے اور میموری ٹیکنالوجی ڈیولپمنٹ کے انٹیل کے سینئر ساتھی اور ڈائریکٹر ، ال فاضیو نے بہت ساری تکنیکی تفصیلات پیش کیں - حالانکہ وہ ابھی بھی کچھ اہم معلومات کو لپیٹ میں رکھتے ہیں ، جیسے اعداد و شمار لکھنے کے لئے استعمال کیا جانے والا اصل مواد۔

اس سیشن میں ، کروک نے ایک وفر پکڑا کہ اس نے کہا کہ تھری ڈی ایکسپوائنٹ میموری ہے ، جس میں فی ڈائی ڈو اسٹوریج کے 128 گبیٹ شامل ہوں گے۔ مجموعی طور پر ، انہوں نے کہا کہ مکمل ویفر میں 5 ٹیرا بائٹ ڈیٹا ہوسکتا ہے۔

فضیو میموری کے ایک ماڈل کے ساتھ کھڑا تھا ، جس کے بارے میں اس کا کہنا تھا کہ وہ اصل سائز سے 5 لاکھ گنا ہے۔ اس نے اس ماڈل کا استعمال کیا ، جس نے صرف 32 بٹس میموری کو اسٹور کیا ، اس کی وضاحت کرنے کے لئے کہ ڈھانچہ کیسے کام کرتا ہے۔

انہوں نے کہا کہ اس میں ایک بہت ہی آسان کراس پوائنٹ ڈھانچہ ہے۔ اس انتظام میں ، کھڑے تاروں (جنہیں بعض اوقات ورڈ لائنز بھی کہا جاتا ہے) submicroscopic کالموں کو جوڑتا ہے ، اور کسی فرد میموری سیل کو اس کے اوپری اور نیچے والے تار کا انتخاب کرکے خطاب کیا جاسکتا ہے۔ انہوں نے نوٹ کیا کہ دوسری ٹکنالوجیوں میں ، الیکٹرانوں کو پھنسانے کے ذریعہ ، ڈی آر اے ایم کے ایک کیپسیٹر میں اور این اے این کے "تیرتے گیٹ" میں اشارہ کیا جاتا ہے۔ لیکن نئے حل کے ساتھ ، میموری (ماڈل میں سبز رنگ میں اشارہ کیا گیا) ایک ایسا مواد ہے جو اپنی بڑی خصوصیات کو بدل دیتا ہے - مطلب آپ کے سینکڑوں ہزاروں یا لاکھوں جوہری اعلی اور کم مزاحمتی اشارے کے درمیان حرکت پذیر ہیں۔ انہوں نے کہا ، یہ مسئلہ میموری اسٹوریج اور سلیکٹر کے لئے مواد تیار کرنے میں ہے (ماڈل میں پیلے رنگ میں اشارہ کیا گیا ہے) جو میموری خلیوں کو بغیر کسی ٹرانجسٹر کی ضرورت کے لکھنے یا پڑھنے کے قابل بناتا ہے۔

وہ یہ نہیں کہتے تھے کہ یہ مواد کیا تھا ، لیکن انہوں نے یہ کہا کہ اگرچہ اس میں ایسے مواد کا بنیادی تصور موجود ہے جو اعلی اور کم مزاحمت کے مابین تبدیل ہوتے ہیں جو اشاروں اور صفر کی نشاندہی کرتے ہیں ، لیکن یہ اس صنعت سے زیادہ مختلف ہے جو مزاحمتی رام کو سمجھتا ہے ، اکثر قریب 10 ایٹموں کے تنت اور خلیات استعمال کرتے ہیں ، جبکہ ایکسپوائنٹ بلک خصوصیات کا استعمال کرتا ہے تاکہ تمام ایٹم تبدیل ہوجائیں ، جس سے تیاری آسان ہوجاتی ہے۔

فائزیو نے کہا کہ یہ تصور نہایت توسیع پزیر ہے ، اس میں آپ مزید تہوں کو شامل کرسکتے ہیں یا مینوفیکچرنگ کو چھوٹے جہتوں میں پیمانہ کرسکتے ہیں۔ موجودہ 128 گبٹ چپس دو پرتیں استعمال کرتی ہیں اور 20nm پر تیار ہوتی ہیں۔ سوال و جواب کے سیشن میں ، انہوں نے نوٹ کیا کہ پرتوں کو بنانے اور جوڑنے کے ل technology ٹکنالوجی 3D نینڈ کی طرح نہیں ہے اور اس میں لتھوگرافی کی متعدد پرتوں کی ضرورت ہوتی ہے ، لہذا لاگت متناسب بڑھ سکتی ہے جب آپ کسی خاص نقطہ کے بعد پرتوں کو جوڑتے ہیں۔ لیکن انہوں نے کہا کہ شاید 4-پرت یا 8-پرت چپس بنانا معاشی تھا ، اور کروک نے مذاق کیا کہ تین سالوں میں ، وہ 16 پرتیں کہے گا۔ انہوں نے یہ بھی کہا کہ تکنیکی طور پر ملٹی لیول سیلز تشکیل دینا ممکن تھا ، جیسے نیلڈ فلیش میں استعمال ہونے والے ایم ایل سی - لیکن نینڈ کے ساتھ ایسا کرنے میں زیادہ وقت درکار ہے اور مینوفیکچرنگ مارجن کی وجہ سے جلد ہی اس کا امکان نہیں ہے۔

عام طور پر ، فیجو نے کہا کہ ہم توقع کر سکتے ہیں کہ ہم نند کی طرح کیڈینس پر میموری کی صلاحیت میں اضافہ کریں گے ، مور کے لا طرز طرز میں بہتری کے قریب پہنچ کر ، ہر دو سالوں میں دوگنا ہوجاتے ہیں۔

کروک نے کہا ، 2016 میں ، انٹیل معیاری 2.5 انچ (U.2) اور موبائل M.2 (22 ملی میٹر 30 ملی میٹر) شکل والے عوامل میں نئی ​​ٹکنالوجی کے ساتھ تیار کردہ اوپٹین ایس ایس ڈی فروخت کرے گا۔ یہ بڑی کھلی دنیاؤں کے ساتھ عمیق کھیل کو قابل بنانا جیسے ایپلیکیشنز میں مفید ہوگا ، جس میں بڑی ڈیٹا سیٹس کی ضرورت ہوتی ہے۔

اگرچہ ابتدائی مظاہرے میں ایک معیاری اسٹوریج باکس پر پانچ سے سات بار کی بہتری دیکھنے میں آئی ، لیکن فیجو نے کہا کہ اس ذخیرہ اندوزی کے آس پاس کی دوسری چیزوں کی وجہ سے یہ محدود ہے۔ انہوں نے کہا کہ آپ اسٹوریج بس سے اتار کر اور اسے براہ راست میموری بس پر رکھ کر استعداد کو "آزاد" کرسکتے ہیں ، یہی وجہ ہے کہ انٹیل اگلے سال بھی NVMe (نان اتار چڑھاؤ والی میموری ایکسپریس) کے معیار کو اوپر رکھ کر ایک ورژن جاری کرے گا۔ پی سی آئی کے بہت سے دکاندار اب پی سی آئی بس کے اوپر نند فلیش پیش کررہے ہیں ، اور ان کا کہنا تھا کہ وہاں ایکس پوائنٹ کی کارکردگی نمایاں طور پر بہتر ہوگی۔

اس میموری کو براہ راست سسٹم میموری کے طور پر استعمال کرنے کا دوسرا استعمال ہوسکتا ہے۔ اگلی نسل کے ژیون پروسیسر کا استعمال - جس کا ابھی اعلان نہیں کیا گیا ، لیکن متعدد سیشنوں میں ذکر کیا گیا ہے - آپ کو XPoint کو براہ راست میموری کے طور پر استعمال کرنے کے قابل ہونا چاہئے تاکہ کم قیمت پر DRAM کی موجودہ زیادہ سے زیادہ میموری سے چار گنا زیادہ ہوسکے۔ تھری ڈی ایکسپوائنٹ DRAM کے مقابلے میں قدرے آہستہ ہے ، لیکن ان کا کہنا تھا کہ تاخیر کو دو عددی نانو سیکنڈ میں ماپا جاتا ہے ، جو DRAM کے بہت قریب ہے اور ناند سے سیکڑوں گنا تیز ہے۔ (نوٹ کریں کہ ناند پڑھنے کی رفتار اس کی تحریری رفتار سے کہیں زیادہ تیز ہے ، اور یہ کہ نینڈ صفحات میں میموری کو مخاطب کرتے ہیں ، جبکہ DRAM اور XPoint میموری کو انفرادی بٹ سطح پر مخاطب کرتے ہیں۔)

کروک نے کہا ، انٹیل اگلے سال بھی DDR4 کے قابل DIMM سلاٹوں میں میموری پیش کرے گا ، جبکہ ایک ڈایاگرام نے اشارہ کیا کہ اسے DRAM کے ساتھ مل کر استعمال کیا جائے گا ، جبکہ روایتی میموری تحریری طور پر کیشے کی حیثیت سے کام کرے گی۔ انہوں نے کہا کہ یہ آپریٹنگ سسٹم یا اطلاق میں کسی قسم کی تبدیلی کے بغیر کام کرسکتا ہے۔

کروک نے اس میموری کے ممکنہ استعمال جیسے مالیاتی خدمات ، فراڈ کا پتہ لگانے ، آن لائن اشتہار بازی اور سائنسی تحقیق جیسے کمپیوٹیشنل جینومکس کے بارے میں بات کی - کیونکہ یہ خاص طور پر بڑے اعداد و شمار کے سیٹوں سے نمٹنے کے ل good بہتر ہے ، تیز تر بے ترتیب ڈیٹا رسائی کی پیش کش کرتے ہیں۔ لیکن انہوں نے کہا کہ یہ عمیق ، بلاتعطل گیمنگ کے ل great بھی زبردست ہوگا۔

ابھی بھی بہت سارے کھلے سوالات ہیں ، کیونکہ پروڈکٹ کی فراہمی نہیں ہوئی ہے ، لہذا ہم ابھی تک اصل قیمتوں ، تفصیلات یا کسی خاص ماڈل کو نہیں جانتے ہیں۔ انہوں نے واضح کیا کہ انٹیل کا مقصد میموری کو صرف مخصوص ماڈیولز کے حصے کے طور پر فروخت کرنا ہے ، نہ کہ خام میموری کے اجزاء کے طور پر۔ (مائکرون ، جو مواد پر مبنی مصنوعات فروخت کرے گا ، نے ابھی تک مخصوص مصنوعات کے بارے میں کوئی اعلان نہیں کیا ہے۔)

فرض کرتے ہو کہ قیمت معقول نکلی ہے اور یہ کہ اس ٹیکنالوجی کو آگے بڑھاتے رہنا ، میں ایک ایسی ٹکنالوجی کے لئے بہت بڑا استعمال دیکھ سکتا ہوں جو DRAM اور نند کے مابین فٹ بیٹھتا ہے۔ اس میں سے کسی کو تبدیل کرنے کا بے حد امکان نہیں ہے - DRAM تیز رہنا چاہئے اور 3D نینڈ کا امکان کافی وقت تک سستا رہے گا - لیکن یہ آگے چلتے ہوئے سسٹم فن تعمیر کا ایک بہت اہم حصہ بن سکتا ہے۔